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Picos de escape.

Al igual que en los detectores gaseosos, existe cierta probabilidad de que un fotón característico escape del detector sin depositar su energía dentro del mismo, resultando en una generación de cargas correspondiente a un fotón de menor energía. Para el caso del silicio, los picos de escape aparecen en 1,74keV menos que el pico principal, y su intensidad relativa depende de la energía del fotón original.