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Fluorescencia interna.

Es el fenómeno opuesto al anterior: en este caso se pierde el fotoelectrón, y sólo se registra el fotón característico del elemento que conforma al semiconductor (Si K$\alpha$ ). El espesor de la capa muerta es el parámetro que más influye en este efecto, el cual puede ser importante para energías levemente mayores al borde de absorción del semiconductor.