Siguiente: Profundidad de penetración Subir: Parámetros característicos de la Anterior: Ángulo crítico

Reflectividad

Este parámetro está definido como el cociente entre la intensidad reflejada por la interfase y la intensidad incidente sobre la misma. La expresión para este parámetro es conocida como ecuación de Fresnel:

$$R = \frac{\left[\sqrt{2} X-\sqrt{(X²-1)²+Y²}+\sqrt{X²-1}\right]^... ...{2} X+\sqrt{(X²-1)²+Y²}+ \sqrt{X²-1}\right]^2 + \sqrt{(X²-1)²+Y²}-(X²-1)} \;,$$

donde se han definido $X\equiv\phi/\phi_c$ y $Y\equiv\beta/\delta$ .

 

El gráfico muestra las curvas de $R$ en función del ángulo de incidencia $\phi$ en un rango que incluye a $\phi_c$ para un reflector de silicio puro y otro de arseniuro de galio. Como vemos, la información que provee el parámetro $R$ no es equivalente a la incluida en $\phi_c$ : si así fuera, sólo bastaría cambiar la escala de las abscisas para obtener una curva a partir de cualquier otra curva para $R$ . En el caso del silicio, hay una baja atenuación de la radiación, de manera que la curva de reflectividad exhibe valores muy próximos a 1 por debajo de $\phi_c$ ; por el contrario, la diferente atenuación de los fotones de 17,5keV en el reflector de GaAs hace que la curva se separe apreciablemente del 100% antes de arribar al correspondiente valor de $\phi_c$ .

Siguiente: Profundidad de penetración Subir: Parámetros característicos de la Anterior: Ángulo crítico